新型半导体与先进存储器实验室

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研究方向：

（1）新型半导体材料方向

面向未来信息器件需求，探索二维半导体材料和非晶P型半导体材料体系，发展大面积新型半导体材料生长与制备技术，汲取仿生等智能概念，开发新原理器件与集成技术。当前聚焦新型半导体材料，理论模拟并紧密结合实验研究，系统开展新型半导体材料的结构设计、能带工程、物性调控、器件集成等一系列基础应用研究，发展具有自主知识产权的新型半导体集成电路设计、制造等关键技术工艺，实现下一代新型半导体器件集成，助力解决“卡脖子”问题。

（2）新型三维结构半导体器件方向

非易失性存储器正在经历从电荷捕获薄膜技术到铁电薄膜技术，自旋磁性薄膜技术等下一代存储技术的转变。新型存储技术不仅高度匹配低功耗、高速读写，数据保存时间长等应用场景，更在三维结构存储器件的制备和集成上有较大优势。通过设计基于下一代存储器的新型三维结构器件并开发高密度三维结构集成工艺，探索未来三维结构存储器的发展方向，为下一代超大规模存储器的研制与开发提供关键支撑。

（3）新型计算架构方向

CPU和存储器的速度不匹配所导致的“内存墙”问题是限制计算机计算能力增长的一个重要因素，发展基于存储器的新型计算架构可避免“内存墙”导致的算力瓶颈问题。团队聚焦基于新型存储器的存内计算，类脑计算等新型计算架构，通过结合存储器件研发和计算架构研发，实现高算力，低功耗，应用场景广泛的新型计算芯片。

北京理工大学(珠海) 大湾区创新研究院新型半导体与先进存储器团队

地址:广东省珠海市唐家湾金凤路6号

联系方式：mofei@bit.edu.cn

官网链接：https://zh.bit.edu.cn/info/2251/7551.htm

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